Doživite novu generaciju ekstremnih performansi uz Samsung 9100 PRO 4TB PCIe 5.0 NVMe M.2 SSD s integriranim heatsinkom – premium rješenje dizajnirano za gamere, profesionalce i AI korisnike koji zahtijevaju maksimalnu brzinu, stabilnost i termalnu efikasnost. Sa svojom najnovijom PCIe® 5.0 tehnologijom i naprednim Samsung in-house kontrolerom, ovaj SSD pruža performanse koje višestruko nadmašuju prethodne generacije.

9100 PRO donosi nevjerojatne sekvencijalne brzine do 14,800 MB/s čitanja i 13,400 MB/s pisanja, čineći ga jednim od najbržih komercijalnih SSD-ova današnjice. Random performanse do 2,200K/2,600K IOPS osiguravaju trenutno učitavanje igara, ultra-brzu obradu podataka i neometan rad u najzahtjevnijim aplikacijama, uključujući AI generaciju sadržaja, 3D obradu i profesionalni video rad.

S kapacitetom 4TB, 9100 PRO nudi dovoljno prostora za veliku kolekciju igara, masivne AI datasetove, 4K/8K video projekte i profesionalnu produkciju. Napredna arhitektura omogućuje i do 49% bolju energetsku učinkovitost u odnosu na 990 PRO model, čime se smanjuje potrošnja i osigurava stabilan rad pod punim opterećenjem.

Integrirani ultratanki 8.88 mm heatsink osigurava optimalno odvođenje topline i sprječava thermal throttling. Kompatibilan je s desktop računalima, laptopima i PlayStation® 5, u potpunosti zadovoljavajući PCI-SIG® D8 standarde za tanki profil.

Uz podršku za Samsung Magician softver, korisnici imaju pristup naprednim alatima za optimizaciju performansi, monitoring zdravlja diska, sigurnosne opcije, migraciju podataka i automatska firmware ažuriranja – sve u jednostavnom i intuitivnom sučelju.

Za korisnike koji žele apsolutno maksimalnu brzinu pohrane, izvanrednu pouzdanost i besprijekorne termalne performanse, Samsung 9100 PRO 4TB predstavlja vrhunsko rješenje za gaming, radne stanice i AI sustave nove generacije.

Tehničke specifikacije

Model: Samsung 9100 PRO s Heatsinkom (MZ-VAP4T0CW)
Kapacitet: 4TB
Form factor: M.2 2280
Namjena: Klijentska računala, gaming konzole (PS5 kompatibilno)

Memorija: Samsung V-NAND TLC
Kontroler: Samsung in-house
Cache memorija: Samsung 4GB LPDDR4X

Performanse
Sekvencijalno čitanje: do 14,800 MB/s
Sekvencijalno pisanje: do 13,400 MB/s
Random read: do 2,200,000 IOPS
Random write: do 2,600,000 IOPS
Sučelje: PCIe® 5.0 x4, NVMe™ 2.0

Potrošnja
Prosječna potrošnja – čitanje: 9.0W
Prosječna potrošnja – pisanje: 8.2W
Idle: 6.5 mW
Device Sleep: 5.7 mW
Napon: 3.3V ± 5%

Fizičke specifikacije
Dimenzije (s heatsinkom): 80.15 × 25 × 8.88 mm
Težina: do 30 g

Sigurnosne funkcije
TRIM podrška
S.M.A.R.T.
Auto Garbage Collection
AES 256-bit enkripcija (TCG/Opal, IEEE1667)

Izdržljivost i jamstvo
TBW: 2,400 TBW